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          泛林集團推三款開創性的選擇性刻蝕產品 此前宣布季度股息1.5美元每股

          泛林集團推三款開創性的選擇性刻蝕產品 泛林集團深信創新不僅來自于創新者,更需要共同合作、精確細致和努力交付才能實現創新。我們助力第四次工業革命,也是世界領先半導體企業值得...

          2022-03-22 標簽:集成電路晶圓刻蝕泛林集團 444

          泛林集團推開創性的選擇性刻蝕解決方案 加速實現3D

          泛林集團推開創性的選擇性刻蝕解決方案 加速實現3D

          通過與客戶、技術專家和產品團隊的合作,他們已經在選擇性刻蝕創新方面實現突破,這將使世界領先的芯片制造商得以提供下一代3D邏輯和存儲設備。...

          2022-03-22 標簽:刻蝕刻蝕工藝泛林集團 303

          科幻變現實:噴下即療愈 生物3D打印繪就生命密碼圖

          在過去的二十年里,許多生物3D打印技術已經被開發出來,被應用于眾多生物醫學領域,包括組織工程、疾病模型和藥物篩選等。盡管如此,大多數生物3D生物打印技術與臨床和轉化應用還有相...

          2022-03-22 標簽:3D打印 550

          晶盛機電圍繞先進材料先進裝備戰略 2021年度業績翻倍

          晶盛機電圍繞先進材料先進裝備戰略 2021年度業績翻倍

          晶盛機電圍繞先進材料先進裝備戰略 2021年度業績翻倍 光伏、半導體設備商浙江晶盛機電股份有限公司訂單飽滿,盈利能力也很強勁,2021年度業績翻倍。 日前浙江晶盛機電股份有限公司公告了...

          2022-03-17 標簽:光伏晶盛機電半導體設備 934

          【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用

          【節能學院】電氣火災監控系統在德令哈市新能源有軌電車示范線工程的應用

          點擊藍字關注我們摘要介紹德令哈市新能源有軌電車示范線工程采用剩余電流式電氣火災探測器,就地組網方式,通過現場總線通訊遠傳至后臺,從而實現剩余電流式電氣火災監控系統的搭建,...

          2021-11-19 標簽:監控系統 71

          LED封裝企業木林森預計凈利潤11.58億同比增長283.76%

          LED封裝企業木林森預計凈利潤11.58億同比增長283.76%

          LED封裝企業木林森預計凈利潤11.58億同比增長283.76% 根據木林森2021年度業績快報顯示,歸屬于上市公司股東的凈利潤11.58億,同比增長283.76%。業績可謂亮眼。 我們看到木林森公告顯示,在2021年...

          2022-03-17 標簽:ledLED封裝木林森 1458

          安靠分析封測行業決定質量的因素

          在我們的印象中,日本的制造業往往給人以高端先進的感覺,日本的產品都以質量可靠著稱,而日本的工人都以執著的匠人精神而享譽全球。然而就在近幾年,日本制造業的丑聞頻頻被爆出。從...

          2022-03-09 標簽:SOP安靠 1250

          Achronix任命臺積電資深高管Rick Cassidy為其董事會成員

          “Cassidy先生為Achronix的董事會帶來了其超過三十年的半導體和制造經驗” 加利福尼亞州圣克拉拉市,2022年3月7日——高性能FPGA和嵌入式FPGA(eFPGA)半導體知識產權(IP )領域的領導者 Achronix...

          2022-03-08 標簽:fpga臺積電晶圓IPAchronix 2744

          國產芯片何去何從?關于中國芯片這些話如鯁在喉

          作為一家以AI、云計算、通信等技術為核心關注點的自媒體,芯片是永遠無法繞開的話題。腦極體最早開始關注芯片是在2017年,彼時華為海思領先蘋果發布了全球第一款移動AI芯片麒麟970;梁孟...

          2022-03-08 標簽:云計算AI國產芯片AI芯片 2828

          柔性振動盤視覺上料系統

          柔性振動盤視覺上料系統

          柔性振動盤是一種適用于工業自動化生產中99%的小型零部件散料排列上料的,它又叫柔性上料盤、柔性振盤、柔性供料器等。弗萊克斯柔性振動盤有五種規格,分別是FF100-FF500,能夠解決大小不一...

          2021-02-20 標簽:振動盤 434

          英特爾打造智能制造工廠 國民技術推進數字人民幣創新

          近年來,面對市場需求多樣化、品牌迭代迅速,特別是受疫情、缺芯、原材料漲價等影響,全球供應鏈受到前所未有的挑戰,蘭石研究院作為蘭石集團牽頭重大項目的先鋒隊,在熱交換系統、鍛...

          2022-03-03 標簽:芯片英特爾軟硬件國民技術 511

          研究碳化硅襯底和外延的實驗報告

          研究碳化硅襯底和外延的實驗報告

          摘要 本發明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質量襯底的單晶碳化硅錠,和由此獲得的襯底和外延晶片。 它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠,該單晶碳化硅含有濃度為2X1018 cm-3至6X 1020...

          2022-02-15 標簽:晶圓襯底鍍膜碳化硅 410

          前有上海微電子被列“清單”,后有ASML控訴,半導體設備國產化難度升級

          前有上海微電子被列“清單”,后有ASML控訴,半導體設備國產化難度升級

          電子發燒友網報道(文/吳子鵬)北京時間2月7日,上海微電子裝備(集團)股份有限公司(以下簡稱:上海微電子)為國內首臺2.5D / 3D先進封裝光刻機舉行了發運儀式,對于這款設備大家其實都...

          2022-02-11 標簽:光刻機ASML上海微電子 5043

          GaN襯底制造過程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報告

          GaN襯底制造過程中N面氮化鎵清洗工藝的研究報告

          氮化鎵由于其寬的直接帶隙、高熱和化學穩定性,已成為短波長發射器(發光二極管和二極管激光器)和探測器等許多光電應用的誘人半導體,以及高功率和高溫電子器件。對于實現先進的氮化...

          2022-02-08 標簽:氮化鎵CMPGaN襯底 584

          SPM光刻工藝的研究報告

          SPM光刻工藝的研究報告

          在這篇文章中,我們華林科納演示了在鈦薄膜上形成納米尺度陽極氧化物的設備,以及在接觸或半接觸模式下使用NTMDT公司的求解器PROTM AFM對其進行表征。...

          2022-02-08 標簽:電極光刻光刻機 547

          薄膜MLCC的技術報告

          薄膜MLCC的技術報告

          本文討論了傳統MLCC技術的最新技術,并將該技術與潛在的MLCC薄膜制造技術進行了比較,討論了MLCC制造、相關限制、潛在制造技術和設計理念方面的薄膜技術的實用性。同時還考慮了電子行業的...

          2022-02-08 標簽:電容納米技術MLCC納米 492

          碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

          碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

          摘要 本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體,并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進行,例如在大約23丁...

          2022-02-07 標簽:半導體碳化硅電沉積 324

          東芝新推出的1200V和1700V碳化硅MOSFET模塊

          ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)已推出兩款碳化硅(SiC) MOSFET雙模塊:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的“MG600Q2YMS3”;額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的“MG400V2YMS3”...

          2022-02-01 標簽:MOSFET東芝IGBT碳化硅 2574

          使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實驗

          使用超臨界二氧化碳剝離碳化光刻膠的實驗

          關鍵詞:超臨界清洗,離子注入光刻膠,光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環保的干剝離方法,使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統,在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時去除離子植入的光刻劑...

          2022-01-27 標簽:半導體晶圓化學光刻膠 1245

          關于硅的濕化學蝕刻機理的研究報告

          關于硅的濕化學蝕刻機理的研究報告

          摘要 本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數量級。對金剛石...

          2022-01-25 標簽:半導體晶體化學蝕刻蝕刻工藝 1152

          關于薄膜金剛石的化學機械拋光的研究報告

          關于薄膜金剛石的化學機械拋光的研究報告

          摘要 納米晶金剛石(NCD)可以保留單晶金剛石的優越楊晶模量(1100GPa),以及在低溫下生長的能力(450C),這推動了NCD薄膜生長和應用的復興。然而,由于晶體的競爭生長,所產生的薄膜的粗糙度隨著...

          2022-01-25 標簽:機械晶圓化學金剛石拋光 1144

          關于硫酸-過氧化氫-水系統中砷化鎵的化學蝕刻研究報告

          關于硫酸-過氧化氫-水系統中砷化鎵的化學蝕刻研究報告

          摘要 我們華林科納對h2so4-h202-h20體系中(100)砷化鎵的蝕刻情況進行了詳細的研究。研究了特定蝕刻劑成分的濃度對蝕刻速率和晶體表面形狀的影響。從這些結果中,蝕刻浴組成的吉布斯三角形...

          2022-01-25 標簽:半導體化學蝕刻砷化鎵蝕刻工藝 883

          長電科技發出預增公告,2021業績豐收已無懸念

          在2021年的前三季度,長電科技延續了自2020年以來的快速發展勢頭,專業化、國際化管理所帶來的盈利能力與運營效率提升效果仍在持續釋放,企業營收和利潤一再打破歷史同期紀錄。因此,對...

          2022-01-25 標簽:半導體SiP封裝封測長電科技 3686

          關于氧化鋅的基本性質和應用的報告

          關于氧化鋅的基本性質和應用的報告

          本文概述了氧化鋅的基本性質,包括晶體結構、能帶結構和熱性質,并介紹了其應用前景、氧化鋅塊體、薄膜和納米結構,氧化鋅的機械性質、基本電子和光學性質以及潛在的應用。 晶體結構...

          2022-01-18 標簽:顯示器半導體晶體氧化鋅 653

          吉方定制化服務,持續為客戶提升價值

          吉方定制化服務,持續為客戶提升價值

          吉方工控擁有完善的供應鏈體系,多年來與英特爾保持戰略合作關系,與國產芯片廠商也有良好的互動。在以客戶為導向的工作原則指導下,我們對供應鏈進行了科學的管理和嚴格的品控。...

          2022-01-17 標簽:cpu吉方工控 280

          Transphorm的快速充電器和電源適配器用GaN器件

          高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先驅和全球供應商Transphorm, Inc. (OTCQX: TGAN)今天宣布,該公司2021年12月份的SuperGaN? Gen IV場效應晶體管(FET)出貨量突破100萬大關。這一里程碑進一步證實...

          2022-01-16 標簽:充電器FET電源適配器GaNTransphorm 2792

          半導體硅太陽能電池基板的濕化學處理及電子界面特性

          半導體硅太陽能電池基板的濕化學處理及電子界面特性

          引言 硅(Si)在半導體器件制造中的大多數技術應用都是基于這種材料的特定界面性能。二氧化硅(二氧化硅)可以通過簡單的氧化方法在硅表面制備,其特點是高化學和電穩定性。晶體硅在光伏...

          2022-01-13 標簽:太陽能半導體電子硅片電池 1191

          用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

          用于刻蝕多晶硅表面的HF-HNO3-H2SO4/H2O混合物

          硅表面常用的HF-HNO3-H2O蝕刻混合物的反應行為因為硫酸加入而受到顯著影響。HF (40%)-HNO3 (65%)-H2SO4 (97%)混合物的最大蝕刻速率為4000–5000 NMS-1,w (40%-HF)/w (65%-HNO3)比為2比4,w (97%-H2SO4)0.3.對于較高濃...

          2022-01-13 標簽:多晶硅半導體晶圓刻蝕刻蝕工藝 645

          半導體有機酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機理分析

          半導體有機酸清洗液中的銅的蝕刻速率和氧化機理分析

          引言 用電化學和原子力顯微鏡方法對有機酸與銅的相互作用進行了表征可以建立用于濕銅加工的高效清洗公式。本文研究了單有機酸、二有機酸和三有機酸中銅的蝕刻速率和氧化機理。除了草...

          2022-01-13 標簽:半導體電化學蝕刻清洗蝕刻工藝 438

          DB HiTek憑借RF SOI/HRS工藝拓展射頻前端業務

          DB HiTek已宣布通過基于130/110納米技術的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來拓展射頻前端業務。 射頻前端是無線通信的必備器件,其負責IT設備之間的發射(Tx)和接收(Rx),并廣...

          2022-01-13 標簽:射頻射頻芯片SOI射頻前端智能硬件 2289

          蝕刻工藝關于濕化學處理后InP表面的研究

          蝕刻工藝關于濕化學處理后InP表面的研究

          引言 本文將討論在不同的濕化學溶液中浸泡后對InP表面的氧化物的去除。本文將討論接收襯底的各種表面成分,并將有助于理解不同的外原位濕化學處理的影響。這項工作的重點將是酸性和堿...

          2022-01-12 標簽:InP技術化學蝕刻物理襯底 717

          關于晶體硅太陽能電池單面濕法化學拋光的方法

          關于晶體硅太陽能電池單面濕法化學拋光的方法

          引言 高效太陽能電池需要對硅片的正面和背面進行單獨處理。在現有技術中,電池的兩面都被紋理化,導致表面相當粗糙,這對背面是不利的。因此,在紋理化后直接引入在線單面拋光步驟。...

          2022-01-12 標簽:太陽能電池太陽能半導體晶體硅拋光 403

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